Erciyes University - Info Package

Dersin Adı	Dersin Seviyesi	Dersin Kodu	Dersin Tipi	Dersin Dönemi	Yerel Kredi	AKTS Kredisi	Ders Bilgileri
GAAS MESFET VE HETEROJONKSİYON TRANSİSTÖRLER	Üçüncü Düzey	EEM 602		2	7.50	7.50	Yazdır

Dersin Tanımı

Ön Koşul Dersleri	Yoktur
Eğitimin Dili	Türkçe
Koordinatör	PROF. DR. MUSTAFA ALÇI
Dersi Veren Öğretim Eleman(lar)ı	PROF. DR. MUSTAFA ALÇI
Yardımcı Öğretim Eleman(lar)ı	Yoktur
Dersin Veriliş Şekli	Sözlü sunum
Dersin Amacı	İleri FET teknolojileri, heterojonksiyon transistörler, hetorojen yapılı yüksek hızlı devre elemanlarındaki gelişmelerin anlaşılması amaçlanmıştır.
Dersin Tanımı	GaAs MESFET lerin tarihçesi ve bakış açısı, Kristallerin enerji band teoremi, Kuantum kuyuları ve Superlattices, Kimyasal tablonun III-IV bandından oluşturulan katkılı yarıiletkenlerin band genişliklerinin, hareketliliklerinin ve iletkenliklerinin incelenmesi, GaAs MESFET lerin elektriksel karakteristikleri, yapıları, küçük işaret modelleri ve tipik uygulamaları. Metal yarıiletken jonksiyonlu D-MESFET ler ve E-MESFET ler, İleri FET teknolojileri, heterojonksiyon transistörler, Hetorojen yapılı yüksek hızlı devre elemanlarındaki gelişmeler, tümdevre teknolojisi yüksek elektron hareketlili ğine sahip transistör (HEMT) ve modülasyon katkılı FET (MODFET) uygulamaları.

Dersin İçeriği

1	GaAs MESFET’lerin tarihçesi
2	GaAs MESFET’lere bakış açısı
3	Kristallerin enerji-band teoremi
4	Kuantum kuyuları
5	Süper-kafes yapıları
6	Kimyasal tablonun III-IV bandından oluşturulan katkılı yarıiletkenlerin band genişliklerinin, hareketliliklerinin ve iletkenliklerinin incelenmesi,
7	Metal- yarı iletken jonksiyonlu D-MESFET’ler ve E-MESFET’ler
8	İleri FET Teknolojileri : FinFET''ler TFET''ler
9	ARA SINAV
10	Heterojonksiyon transistörler
11	Tümdevre teknolojisi yüksek elektron hareketliliğine sahip transistör(HEMT)
12	Modülasyon katkılı FET (MODFET)
13	Farklı bilgisayar programları ile devre tasarımı
14	MOS''tan sonra yeni eleman arayışları, CNTFET ''ler
15	CNTFET''lerin devre tasarımında kullanılması
16
17
18
19
20

Dersin Öğrenme Çıktıları

1	Kristallerin enerji-band teoreminin anlaşılması.
2	Kuantum kuyuları, Süper-kafes yapılarının anlaşılması.
3	Kimyasal tablonun III-IV bandından oluşturulan katkılı yarıiletkenlerin band genişliklerinin, hareketliliklerinin ve iletkenliklerinin anlaşılması.
4	Metal- yarı iletken jonksiyonlu D-MESFET’ler ve E-MESFET’lerin anlaşılması.
5	Heterojonksiyon transistörlerin anlaşılması.
6	MOS teknolojileri ile fiziksel sınırların sonuna yaklaşıldığından Grafen ve CNTFET gibi yeni eleman arayışlarının anlaşılması
7
8
9
10

*Dersin Program Yeterliliklerine Katkı Seviyesi

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
Yıldızların sayısı 1’den (en az) 5’e (en fazla) kadar katkı seviyesini ifade eder

Planlanan Öğretim Faaliyetleri, Öğretme Metodları ve AKTS İş Yükü

	Sayısı	Süresi (saat)	Sayı*Süre (saat)
Yüz yüze eğitim	15	3	45
Sınıf dışı ders çalışma süresi (ön çalışma, pekiştirme)	14	3	42
Ödevler	1	20	20
Sunum / Seminer hazırlama	1	2	2
Kısa sınavlar	0	0	0
Ara sınavlara hazırlık	1	20	20
Ara sınavlar	1	3	3
Proje (Yarıyıl ödevi)	1	0	0
Laboratuvar	0	0	0
Arazi çalışması	0	0	0
Yarıyıl sonu sınavına hazırlık	1	20	20
Yarıyıl sonu sınavı	1	3	3
Araştırma	14	2	28
Toplam iş yükü			183
AKTS			7.50

Değerlendirme yöntemleri ve kriterler

Yarıyıl içi değerlendirme	Sayısı	Katkı Yüzdesi
Ara sınav	1	40
Kısa sınav	0	0
Ödev	0	0
Yarıyıl içi toplam		40
Yarıyıl içi değerlendirmelerin başarıya katkı oranı		40
Yarıyıl sonu sınavının başarıya katkı oranı		60
Genel toplam		100

Önerilen Veya Zorunlu Okuma Materyalleri

Ders kitabı	SiGe, GaAs, and InP Heterojunction Bipolar Transistors"" by Jiann S. Yuan (Wiley), 1999
Yardımcı Kaynaklar	T. Ikoma, "Very High Speed Integrated circuits, Academic Press, 1990. GaAs MESFET Circuit Design , Artech House, 1988.

Ders İle İlgili Dosyalar