Erciyes University - Info Package

Dersin Adı	Dersin Seviyesi	Dersin Kodu	Dersin Tipi	Dersin Dönemi	Yerel Kredi	AKTS Kredisi	Ders Bilgileri
GAAS MESFET VE HETEROJONKSİYON TRANSİSTÖRLER	Üçüncü Düzey	EEM 602	Seçmeli	2	7.50	7.50	Yazdır

Dersin Tanımı

Ön Koşul Dersleri	Yok
Eğitimin Dili	Türkçe
Koordinatör
Dersi Veren Öğretim Eleman(lar)ı	PROF. DR. MUSTAFA ALÇI
Yardımcı Öğretim Eleman(lar)ı
Dersin Veriliş Şekli	Sözlü sunum
Dersin Amacı	İleri FET teknolojileri, heterojonksiyon transistörler, hetorojen yapılı yüksek hızlı devre elemanlarındaki gelişmelerin anlaşılması amaçlanmıştır.
Dersin Tanımı	GaAs MESFET lerin tarihçesi ve bakış açısı, Kristallerin enerji band teoremi, Kuantum kuyuları ve Superlattices, III-IV nesil katkılı yarıiletkenlerin band genişliklerinin, hareketliliklerinin ve iletkenliklerinin incelenmesi, GaAs MESFET lerin elektriksel karakteristikleri, yapıları, küçük işaret modelleri ve tipik uygulamaları. Metal yarıiletken jonksiyonlu D-MESFET ler ve E-MESFET ler, İleri FET teknolojileri, heterojonksiyon transistörler, Hetorojen yapılı yüksek hızlı devre elemanlarındaki gelişmeler, tümdevre teknolojisi yüksek elektron hareketlili ğine sahip transistör (HEMT) ve modülasyon katkılı FET (MODFET) uygulamaları.

Dersin İçeriği

1	GaAs MESFET’lerin tarihçesi
2	GaAs MESFET’lere bakış açısı
3	Kristallerin enerji-band teoremi
4	Kuantum kuyuları
5	Süper-kafes yapıları
6	III-IV nesil katkılı yarıiletkenlerin band genişliklerinin, hareketliliklerinin ve iletkenliklerinin incelenmesi,
7	Metal- yarı iletken jonksiyonlu D-MESFET’ler ve E-MESFET’ler
8	ARA SINAV
9	İleri FET Teknolojileri
10	Heterojonksiyon transistörler
11	Tümdevre teknolojisi yüksek elektron hareketliliğine sahip transistör(HEMT)
12	Modülasyon katkılı FET (MODFET)
13	Farklı bilgisayar programları ile deve tasarımı
14	Farklı bilgisayar programları ile deve tasarımı
15
16
17
18
19
20

Dersin Öğrenme Çıktıları

1	Kristallerin enerji-band teoreminin anlaşılması.
2	Kuantum kuyuları, Süper-kafes yapılarının anlaşılması.
3	III-IV nesil katkılı yarıiletkenlerin band genişliklerinin, hareketliliklerinin ve iletkenliklerinin anlaşılması.
4	Metal- yarı iletken jonksiyonlu D-MESFET’ler ve E-MESFET’lerin anlaşılması.
5	Heterojonksiyon transistörlerin anlaşılması.
6
7
8
9
10

*Dersin Program Yeterliliklerine Katkı Seviyesi

1	Elektrik-elektronik mühendisliği alanında bilimsel araştırma yaparak bilgiye derinlemesine ulaşabilme, bilgiyi değerlendirme, yorumlama ve uygulama becerisine sahip olur.
2	Sınırlı verileri kullanarak bilimsel yöntemlerle aynı veya farklı disiplinlere ait bilgileri bütünleştirebilme becerisine sahip olur.
3	Mühendislik problemlerini tanımlayabilme, çözüm yöntemi geliştirme ve çözümlerde yenilikçi yöntemler uygulama ve geliştirebilme becerisine sahip olur.
4	Analitik, modelleme ve deneysel esaslı süreçleri tasarlama ve uygulama becerisi kazanır ve bu süreçte karşılaşılan karmaşık durumları analiz etme ve yorumlama becerisine sahip olur.
5	Mesleğinin yeni ve gelişmekte olan uygulamaları hakkında bilgi sahibi olur ve gerektiğinde bunları kullanma becerisi kazanır.
6	Verilerin toplanması ve yorumlanması aşamalarında ve mesleki tüm etkinliklerde toplumsal, bilimsel ve etik değerleri gözetir.
7	Çalışmalarını ulusal ve uluslararası ortamlarda yazılı ya da sözlü olarak aktarabilme becerisine sahip olur.
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
Yıldızların sayısı 1’den (en az) 5’e (en fazla) kadar katkı seviyesini ifade eder

Planlanan Öğretim Faaliyetleri, Öğretme Metodları ve AKTS İş Yükü

	Sayısı	Süresi (saat)	Sayı*Süre (saat)
Yüz yüze eğitim	14	3	42
Sınıf dışı ders çalışma süresi (ön çalışma, pekiştirme)	14	3	42
Ödevler	1	20	20
Sunum / Seminer hazırlama	0	0	0
Kısa sınavlar	0	0	0
Ara sınavlara hazırlık	1	20	20
Ara sınavlar	1	3	3
Proje (Yarıyıl ödevi)	0	0	0
Laboratuvar	0	0	0
Arazi çalışması	0	0	0
Yarıyıl sonu sınavına hazırlık	1	20	20
Yarıyıl sonu sınavı	1	3	3
Araştırma	14	2	28
Toplam iş yükü			178
AKTS			7.00

Değerlendirme yöntemleri ve kriterler

Yarıyıl içi değerlendirme	Sayısı	Katkı Yüzdesi
Ara sınav	1	40
Kısa sınav	0	0
Ödev	0	0
Yarıyıl içi toplam		40
Yarıyıl içi değerlendirmelerin başarıya katkı oranı		40
Yarıyıl sonu sınavının başarıya katkı oranı		60
Genel toplam		100

Önerilen Veya Zorunlu Okuma Materyalleri

Ders kitabı	R.Soares, GaAs MESFET Circuit Design , Artech House, 1988.
Yardımcı Kaynaklar	T. Ikoma, "Very High Speed Integrated circuits, Academic Press, 1990.

Ders İle İlgili Dosyalar