Erciyes University - Info Package

Dersin Adı	Dersin Seviyesi	Dersin Kodu	Dersin Tipi	Dersin Dönemi	Yerel Kredi	AKTS Kredisi	Ders Bilgileri
METAL-OKSİT YARIİLETKEN YAPILARIN FİZİĞİ	Üçüncü Düzey	FİZ 609		2	7.50	7.50	Yazdır

Dersin Tanımı

Ön Koşul Dersleri	Yarıiletken Fiziği dersini alması tavsiye edilir.
Eğitimin Dili	Türkçe
Koordinatör
Dersi Veren Öğretim Eleman(lar)ı	PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
Yardımcı Öğretim Eleman(lar)ı	Yok
Dersin Veriliş Şekli	Yüz yüze
Dersin Amacı	Metal-oksit yarıiletken yapılar ve elektriksel ölçümlerinin analizi hakkında bilgi vermektir.
Dersin Tanımı	MOS yapıların tanımı, düşük, ara ve yüksek frekanslarda metal oksit silisyum kapasitörler, arayüzey nonuniformitleri, kapasite ölçümlerinden arayüzey tuzak özelliklerinin elde edilmesi, silisyumun oksidasyonu.

Dersin İçeriği

1	Silisyumun yüzeyi
2	MOS yapısı
3	Düşük frekanslarda MOS kapasitörler
4	Orta frekanslarda MOS kapasitörler
5	Yüksek frekanslarda MOS kapasitörler
6	Tek-seviye arayüzey tuzaklarının admitansı
7	Kondüktans metodu
8	Arayüzey nonüniformitesi
9	Kapasiteden ara yüzey tuzak özelliklerinin elde edilmesi
10	Küçük sinyal kararlı hal kapasitesi
11	Silisyumun oksidasyonu
12	Oksidasyonun silisyumun özellikleri üzerine etkisi
13	Ara yüzey modelleri
14	Kimyasal kompozisyon
15
16
17
18
19
20

Dersin Öğrenme Çıktıları

1	MOS yapıların temel fiziğini bilir.
2	MOS kapasitörün nasıl çalıştığını bilir.
3	Beslem altında MOS yapının enerji-band diyagramını kavrar.
4	MOS yapıların frekansa bağlı ölçümlerini analiz eder.
5	MOS yapı için Poisson eşitliğini çözer.
6	Teorik kavramları pratik uygulamalar ile ilişkilendirir.
7
8
9
10

*Dersin Program Yeterliliklerine Katkı Seviyesi

1	Pedodonti teorilerini uygulama bilgi ve yeteneği geliştirebilme
2	Tıbbi alanlar başta olmak üzere farklı disiplinlerle çalışarak yeni bilgiler oluşturabilme
3	Pedodonti alanıyla ilgili bilgileri eleştirel bir gözle değerlendirebilme, öğrenmeyi yönlendirebilme ve ileri düzey çalışmaları bağımsız olarak yürütebilme
4	Pedodonti alanındaki bir sorunu, bağımsız olarak kurgulayabilme, çözüm yöntemi geliştirebilme, çözebilme, sonuçları değerlendirebilme ve gerektiğinde uygulayabilme
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
Yıldızların sayısı 1’den (en az) 5’e (en fazla) kadar katkı seviyesini ifade eder

Planlanan Öğretim Faaliyetleri, Öğretme Metodları ve AKTS İş Yükü

	Sayısı	Süresi (saat)	Sayı*Süre (saat)
Yüz yüze eğitim	14	3	42
Sınıf dışı ders çalışma süresi (ön çalışma, pekiştirme)	14	1	14
Ödevler	7	10	70
Sunum / Seminer hazırlama	1	5	5
Kısa sınavlar	0	0	0
Ara sınavlara hazırlık	1	20	20
Ara sınavlar	1	2	2
Proje (Yarıyıl ödevi)	1	10	10
Laboratuvar	0	0	0
Arazi çalışması	0	0	0
Yarıyıl sonu sınavına hazırlık	1	25	25
Yarıyıl sonu sınavı	1	2	2
Araştırma	0	0	0
Toplam iş yükü			190
AKTS			7.50

Değerlendirme yöntemleri ve kriterler

Yarıyıl içi değerlendirme	Sayısı	Katkı Yüzdesi
Ara sınav	1	65
Kısa sınav	0	0
Ödev	7	35
Yarıyıl içi toplam		100
Yarıyıl içi değerlendirmelerin başarıya katkı oranı		40
Yarıyıl sonu sınavının başarıya katkı oranı		60
Genel toplam		100

Önerilen Veya Zorunlu Okuma Materyalleri

Ders kitabı	1. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor Physics and Technology), Wiley& Sons, New York, 1982
Yardımcı Kaynaklar	1. Sze, S. M., Semiconductor Devices Physics and Technology, John Wiley&Sons, New York, 1985. 2. Balkanski, M., and Wallis, R. F., Semic onductor Physics and Applications, Oxford University, Oxford, 2000

Ders İle İlgili Dosyalar