Dersin Adı Dersin Seviyesi Dersin Kodu Dersin Tipi Dersin Dönemi Yerel Kredi AKTS Kredisi Ders Bilgileri
METAL-OKSİT YARIİLETKEN YAPILARIN FİZİĞİ Üçüncü Düzey FİZ 609 Seçmeli 2 7.50 7.50 Yazdır
   
Dersin Tanımı
Ön Koşul Dersleri Yarıiletken Fiziği dersini alması tavsiye edilir.
Eğitimin Dili Türkçe
Koordinatör PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
Dersi Veren Öğretim Eleman(lar)ı PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
Yardımcı Öğretim Eleman(lar)ı Yok
Dersin Veriliş Şekli Yüz yüze
Dersin Amacı Metal-oksit yarıiletken yapılar ve elektriksel ölçümlerinin analizi hakkında bilgi vermektir.
Dersin Tanımı MOS yapıların tanımı, düşük, ara ve yüksek frekanslarda metal oksit silisyum kapasitörler, arayüzey nonuniformitleri, kapasite ölçümlerinden arayüzey tuzak özelliklerinin elde edilmesi, silisyumun oksidasyonu.

Dersin İçeriği
1 Silisyumun yüzeyi
2 MOS yapısı
3 Düşük frekanslarda MOS kapasitörler
4 Orta frekanslarda MOS kapasitörler
5 Yüksek frekanslarda MOS kapasitörler
6 Tek-seviye arayüzey tuzaklarının admitansı
7 Kondüktans metodu
8 Arayüzey nonüniformitesi
9 Kapasiteden ara yüzey tuzak özelliklerinin elde edilmesi
10 Küçük sinyal kararlı hal kapasitesi
11 Silisyumun oksidasyonu
12 Oksidasyonun silisyumun özellikleri üzerine etkisi
13 Ara yüzey modelleri
14 Kimyasal kompozisyon
15
16
17
18
19
20

Dersin Öğrenme Çıktıları
1 MOS yapıların temel fiziğini bilir.
2 MOS kapasitörün nasıl çalıştığını bilir.
3 Beslem altında MOS yapının enerji-band diyagramını kavrar.
4 MOS yapıların frekansa bağlı ölçümlerini analiz eder.
5 MOS yapı için Poisson eşitliğini çözer.
6 Teorik kavramları pratik uygulamalar ile ilişkilendirir.
7
8
9
10

*Dersin Program Yeterliliklerine Katkı Seviyesi
1 Doktora yeterliklerine dayalı olarak alanındaki güncel ve ileri düzeydeki bilgileri özgün düşünce ve araştırma ile uzmanlık düzeyinde geliştirmek, derinleştirmek ve bilime yenilik getirecek özgün tanımlara ulaşmak
2 Fizik alanı ile ilgili disiplinlerarasındaki etkileşimi kavramak; yeni ve karmaşık fikirleri analiz, sentez ve değerlendirmede uzmanlık gerektiren bilgileri kullanarak özgün sonuçlara ulaşmak
3 Fizik alanındaki yeni bilimsel bilgilere ulaşabilmek ve alanıyla ilgili araştırma yöntemlerinde üst düzeyde beceri kazanabilmek
4 Fizik alanında yeni bir bilimsel yöntem geliştirebilmek ya da bilinen bir yöntemi farklı bir probleme uygulayabilmek
5 Özgün bir konuyu araştırabilmek, kavrayabilmek, tasarlayabilmek, uyarlayabilmek ve uygulayabilmek
6 Yeni ve karmaşık fikirlerin sorgulamak, sentezlemek ve değerlendirmesini yapabilmek
7 Özgün çalışmaları hakemli dergilerde yayınlamak
8 Yaratıcı ve sorgulayıcı düşünme, sorun çözme ve karar verme gibi üst düzey zihinsel süreçleri kullanarak, alanı ile ilgili ve disiplinlerarası özgün fikir ve yöntemler geliştirebilmek
9 Uzman bir topluluk içinde özgün görüşlerini etkili bir şekilde sunabilmek
10 En az bir yabancı dilde, ileri düzeyde yazılı, sözlü ve görsel iletişim kurabilmek ve tartışabilmek
11 Akademik ve profesyonel bağlamda teknolojik ilerlemeleri tanıtarak, bilgi toplumu olma sürecine katkıda bulunmak
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
Yıldızların sayısı 1’den (en az) 5’e (en fazla) kadar katkı seviyesini ifade eder

Planlanan Öğretim Faaliyetleri, Öğretme Metodları ve AKTS İş Yükü
  Sayısı Süresi (saat) Sayı*Süre (saat)
Yüz yüze eğitim 14 3 42
Sınıf dışı ders çalışma süresi (ön çalışma, pekiştirme) 14 1 14
Ödevler 7 10 70
Sunum / Seminer hazırlama 1 5 5
Kısa sınavlar 0 0 0
Ara sınavlara hazırlık 1 20 20
Ara sınavlar 1 2 2
Proje (Yarıyıl ödevi) 1 10 10
Laboratuvar 0 0 0
Arazi çalışması 0 0 0
Yarıyıl sonu sınavına hazırlık 1 25 25
Yarıyıl sonu sınavı 1 2 2
Araştırma 0 0 0
Toplam iş yükü     190
AKTS     7.50

Değerlendirme yöntemleri ve kriterler
Yarıyıl içi değerlendirme Sayısı Katkı Yüzdesi
Ara sınav 1 65
Kısa sınav 0 0
Ödev 7 35
Yarıyıl içi toplam   100
Yarıyıl içi değerlendirmelerin başarıya katkı oranı   40
Yarıyıl sonu sınavının başarıya katkı oranı   60
Genel toplam   100

Önerilen Veya Zorunlu Okuma Materyalleri
Ders kitabı 1. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor Physics and Technology), Wiley& Sons, New York, 1982
Yardımcı Kaynaklar 1. Sze, S. M., Semiconductor Devices Physics and Technology, John Wiley&Sons, New York, 1985. 2. Balkanski, M., and Wallis, R. F., Semic onductor Physics and Applications, Oxford University, Oxford, 2000

Ders İle İlgili Dosyalar