| Dersin adı |
Dersin seviyesi |
Dersin kodu |
Dersin tipi |
Dersin dönemi |
Yerel kredi |
AKTS kredisi |
Ders bilgileri |
| YARIİLETKENLER FİZİĞİ -II |
Üçüncü düzey |
FİZ 610 |
|
2 |
7.50 |
7.50 |
Yazdır |
|
Ön koşul dersleri
|
Yoktur
|
|
Eğitimin dili
|
Türkçe
|
|
Koordinatör
|
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
|
|
Dersi veren öğretim eleman(lar)ı
|
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
|
|
Yardımcı öğretim eleman(lar)ı
|
Yok
|
|
Dersin veriliş şekli
|
Yüz yüze
|
|
Dersin amacı
|
Yarıiletken aygıtların üretimini ve çalışma prensiplerini öğrenmek
|
|
Dersin tanımı
|
İki kutuplu eklem (BJT) transistörler, Alan etkili transistörler (MOSFET, MISFET, JFET), Fotodiyot, Güneş Pili, Işık Yayan Diyot (LED).
|
|
1- |
Tünel diyotlar
|
|
2- |
Tünelleme ihtimali ve tünelleme akımı
|
|
3- |
Devre elemanı performansı
|
|
4- |
MIS tünel cihazlar
|
|
5- |
MIS anahtarlama diyotları
|
|
6- |
Yüksek-mobiliteli transistörler
|
|
7- |
Impatt diyotlar
|
|
8- |
Bipolar eklem transistörler ve çalışma modları
|
|
9- |
Eklem alan etkili transistörün (JFET) çalışması, devre elemanı karakteristiği, ideal olmayan etkiler
|
|
10- |
Eşdeğer devre modelleri, frekans limitleri, büyük-sinyal anahtarlama
|
|
11- |
Işımalı geçişler
|
|
12- |
Işık yayan diyot (LED)
|
|
13- |
Laserin çalışma karakteristiği
|
|
14- |
Fototransistörler
|
|
15- |
|
|
16- |
|
|
17- |
|
|
18- |
|
|
19- |
|
|
20- |
|
|
1- |
Yarıiletken aygıtlarda yük iletiminin fiziğini bilir.
|
|
2- |
Yarıiletken aygıtların çalışma prensiplerini açıklar.
|
|
3- |
AC yükselteç devrelerindeki sorunları giderme yeteneği kazanır.
|
|
4- |
Elektronik devrelerle ilgili problemleri çözme yeteneği gelişir.
|
|
5- |
Yarıiletken aygıtların performansını etkileyen faktörleri bilir.
|
|
6- |
Yarıiletken teknolojisindeki gelişmelere kolayca uyum sağlar.
|
|
7- |
|
|
8- |
|
|
9- |
|
|
10- |
|
|
*Dersin program yeterliliklerine katkı seviyesi
|
|
1- |
|
|
|
2- |
|
|
|
3- |
|
|
|
4- |
|
|
|
5- |
|
|
|
6- |
|
|
|
7- |
|
|
|
8- |
|
|
|
9- |
|
|
|
10- |
|
|
|
11- |
|
|
|
12- |
|
|
|
13- |
|
|
|
14- |
|
|
|
15- |
|
|
|
16- |
|
|
|
17- |
|
|
|
18- |
|
|
|
19- |
|
|
|
20- |
|
|
|
21- |
|
|
|
22- |
|
|
|
23- |
|
|
|
24- |
|
|
|
25- |
|
|
|
26- |
|
|
|
27- |
|
|
|
28- |
|
|
|
29- |
|
|
|
30- |
|
|
|
31- |
|
|
|
32- |
|
|
|
33- |
|
|
|
34- |
|
|
|
35- |
|
|
|
36- |
|
|
|
37- |
|
|
|
38- |
|
|
|
39- |
|
|
|
40- |
|
|
|
41- |
|
|
|
42- |
|
|
|
43- |
|
|
|
44- |
|
|
|
45- |
|
|
|
Yıldızların sayısı 1’den (en az) 5’e (en fazla) kadar katkı seviyesini ifade eder |
|
Planlanan öğretim faaliyetleri, öğretme metodları ve AKTS iş yükü
|
|
|
Sayısı
|
Süresi (saat)
|
Sayı*Süre (saat)
|
|
Yüz yüze eğitim
|
14
|
3
|
42
|
|
Sınıf dışı ders çalışma süresi (ön çalışma, pekiştirme)
|
14
|
1
|
14
|
|
Ödevler
|
7
|
7
|
49
|
|
Sunum / Seminer hazırlama
|
0
|
0
|
0
|
|
Kısa sınavlar
|
7
|
2
|
14
|
|
Ara sınavlara hazırlık
|
1
|
20
|
20
|
|
Ara sınavlar
|
1
|
2
|
2
|
|
Proje (Yarıyıl ödevi)
|
0
|
0
|
0
|
|
Laboratuvar
|
0
|
0
|
0
|
|
Arazi çalışması
|
0
|
0
|
0
|
|
Yarıyıl sonu sınavına hazırlık
|
1
|
25
|
25
|
|
Yarıyıl sonu sınavı
|
1
|
2
|
2
|
|
Araştırma
|
2
|
10
|
20
|
|
Toplam iş yükü
|
|
|
188
|
|
AKTS
|
|
|
7.50
|
|
Değerlendirme yöntemleri ve kriterler
|
|
Yarıyıl içi değerlendirme
|
Sayısı
|
Katkı Yüzdesi
|
|
Ara sınav
|
1
|
50
|
|
Kısa sınav
|
7
|
25
|
|
Ödev
|
7
|
25
|
|
Yarıyıl içi toplam
|
|
100
|
|
Yarıyıl içi değerlendirmelerin başarıya katkı oranı
|
|
40
|
|
Yarıyıl sonu sınavının başarıya katkı oranı
|
|
60
|
|
Genel toplam
|
|
100
|
|
Önerilen veya zorunlu okuma materyalleri
|
|
Ders kitabı
|
B. G. Streetman and S. Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice-Hall, 2000.
|
|
Yardımcı Kaynaklar
|
1. Sze, S. M., Semiconductor Devices Physics and Technology, John Wiley&Sons, New York, 1985.
2. R. F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley, 1996.
|
|