| Dersin adı |
Dersin seviyesi |
Dersin kodu |
Dersin tipi |
Dersin dönemi |
Yerel kredi |
AKTS kredisi |
Ders bilgileri |
| SEMICONDUCTOR PHYSICS -I |
Üçüncü düzey |
PHYS510 |
|
1 |
7.50 |
7.50 |
Yazdır |
|
Ön koşul dersleri
|
YOK
|
|
Eğitimin dili
|
iNGİLİZCE
|
|
Koordinatör
|
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
|
|
Dersi veren öğretim eleman(lar)ı
|
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
|
|
Yardımcı öğretim eleman(lar)ı
|
-
|
|
Dersin veriliş şekli
|
yüz yüze
|
|
Dersin amacı
|
Yarıiletken cihazların çalışmasını anlamak için gerekli yarı iletken fiziği temel kavramlarını vermek.
|
|
Dersin tanımı
|
Kristal yapı,enerji bantları ve yasak enerji aralığı, yarıiletkenlerde elektriksel iletim, dengedeki yarıiletkenler, katkılı yarıiletkenler, quasi-Fermi enerji seviyeleri, pn eklemleri.
|
|
1- |
Katıların kristal yapıları
|
|
2- |
Katılardaki safsızlıklar ve kusurlar
|
|
3- |
Enerji bantlarının oluşumu; Kronig-Penney modeli Termal dengede taşıyıcı konsantrasyonu
|
|
4- |
Katılarda elektriksel iletim
|
|
5- |
Si ve GaAs k-uzayındaki enerji diagramları
|
|
6- |
Fonon, optik ve termal özellikler
|
|
7- |
Yarıiletkendeki yük taşıyıcıları; electron ve hollerin denge dağılımı
|
|
8- |
Donor ve akseptörlerin istatistiği
|
|
9- |
Taşıyıcı iletim olayı; mobilite etkisi, taşıyıcı difüzyonu
|
|
10- |
Taşıyıcı üretimi ve yeniden birleşmesi
|
|
11- |
Süreklilik eşitliği, zamana-bağlı difüzyon eşitlikleri
|
|
12- |
pn eklemleri
|
|
13- |
Akım-gerilim karakteristiği
|
|
14- |
Geçici davranış ve gürültü
|
|
15- |
|
|
16- |
|
|
17- |
|
|
18- |
|
|
19- |
|
|
20- |
|
|
1- |
Yarıiletkenlerde kusur ve kirliliklerin önemini bilir.
|
|
2- |
Direk ve indirek yasak enerji aralıklı yarıiletkenlerle fotonların nasıl etkileştiğini anlar.
|
|
3- |
Yarıiletkenlerde taşıyıcı iletim mekanizmalarını açıklar.
|
|
4- |
Denge ve denge dışı durumlarda pn ekleminin durumunu açıklar.
|
|
5- |
pn ekleminde kırılma mekanizmasını bilir.
|
|
6- |
Farklı beslem şartları altında pn ekleminin I-V karakteristiğini bilir.
|
|
7- |
|
|
8- |
|
|
9- |
|
|
10- |
|
|
*Dersin program yeterliliklerine katkı seviyesi
|
|
1- |
Lisans yeterliklerine ek olarak, diş (periodontal) ve diş benzeri (implant çevresi) yapıların çevre dokularının moleküler düzeydeki kompozisyonları, hastalık etyolojisi, tedavi yöntemleri ve hastalığın yaygınlık ve korunma yöntemleri ile ilgili bilgilerini güncel ve ileri düzeyde değerlendirilebilir ve alanlar arasında ilişki kurabilir.
|
|
|
2- |
Lisans düzeyinden farklı olarak özgün ve spesifik konular hakkında bilgi sahibi olur.
|
|
|
3- |
Diş (periodontal) ve diş benzeri (implant çevresi) yapıların çevre dokularının hastalıklarının teşhis ve tedavisi ile ilgili gerekli araç ve ekipman ile materyal bilgisine sahiptir.
|
|
|
4- |
Alanında bilim ve teknolojiye yenilik getirme koşuluyla araştırma yetisi kazanır
|
|
|
5- |
Bilim alanında yeni bir tedavi yöntemi geliştirebilir, özgün bir araştırma tasarlayıp gerçekleştirebilir.
|
|
|
6- |
Ulusal ve uluslar arası alanlarda, alanı ile ilgili makale yayınlayabilir.
|
|
|
7- |
Alanı ile ilgili özgün ve disiplinler arası çalışmalarda liderlik yapabilir.
|
|
|
8- |
Alanı ile ilgili materyal ve teknikleri kullanabilir ve proje geliştirebilir.
|
|
|
9- |
Ulusal, uluslar arası ve disiplinler arası çalışmalarda yazılı ve sözlü etkili iletişim kurabilir. Meslek grubunu temsil edebilir.
|
|
|
10- |
Akademik ve profesyonel anlamda bilimsel, teknolojik, sosyal ve kültürel ilerlemeleri hastasına aktarabilir ve hasta tedavisini en üst seviyede tamamlar.
|
|
|
11- |
Genel etik kurallarına uygun davranır.
|
|
|
12- |
|
|
|
13- |
|
|
|
14- |
|
|
|
15- |
|
|
|
16- |
|
|
|
17- |
|
|
|
18- |
|
|
|
19- |
|
|
|
20- |
|
|
|
21- |
|
|
|
22- |
|
|
|
23- |
|
|
|
24- |
|
|
|
25- |
|
|
|
26- |
|
|
|
27- |
|
|
|
28- |
|
|
|
29- |
|
|
|
30- |
|
|
|
31- |
|
|
|
32- |
|
|
|
33- |
|
|
|
34- |
|
|
|
35- |
|
|
|
36- |
|
|
|
37- |
|
|
|
38- |
|
|
|
39- |
|
|
|
40- |
|
|
|
41- |
|
|
|
42- |
|
|
|
43- |
|
|
|
44- |
|
|
|
45- |
|
|
|
Yıldızların sayısı 1’den (en az) 5’e (en fazla) kadar katkı seviyesini ifade eder |
|
Planlanan öğretim faaliyetleri, öğretme metodları ve AKTS iş yükü
|
|
|
Sayısı
|
Süresi (saat)
|
Sayı*Süre (saat)
|
|
Yüz yüze eğitim
|
14
|
3
|
42
|
|
Sınıf dışı ders çalışma süresi (ön çalışma, pekiştirme)
|
14
|
2
|
28
|
|
Ödevler
|
7
|
7
|
49
|
|
Sunum / Seminer hazırlama
|
1
|
5
|
5
|
|
Kısa sınavlar
|
0
|
0
|
0
|
|
Ara sınavlara hazırlık
|
1
|
20
|
20
|
|
Ara sınavlar
|
1
|
2
|
2
|
|
Proje (Yarıyıl ödevi)
|
1
|
20
|
20
|
|
Laboratuvar
|
0
|
0
|
0
|
|
Arazi çalışması
|
0
|
0
|
0
|
|
Yarıyıl sonu sınavına hazırlık
|
1
|
25
|
25
|
|
Yarıyıl sonu sınavı
|
1
|
2
|
2
|
|
Araştırma
|
0
|
0
|
0
|
|
Toplam iş yükü
|
|
|
193
|
|
AKTS
|
|
|
7.50
|
|
Değerlendirme yöntemleri ve kriterler
|
|
Yarıyıl içi değerlendirme
|
Sayısı
|
Katkı Yüzdesi
|
|
Ara sınav
|
1
|
65
|
|
Kısa sınav
|
0
|
0
|
|
Ödev
|
7
|
35
|
|
Yarıyıl içi toplam
|
|
100
|
|
Yarıyıl içi değerlendirmelerin başarıya katkı oranı
|
|
40
|
|
Yarıyıl sonu sınavının başarıya katkı oranı
|
|
60
|
|
Genel toplam
|
|
100
|
|
Önerilen veya zorunlu okuma materyalleri
|
|
Ders kitabı
|
Sze, S. M., Ng, K. K, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, New Jersey, 2007.
|
|
Yardımcı Kaynaklar
|
1. Neamen, D. A., Semiconductor Physics and Devices, Irwen, Sydney, 1992. 2. Sze, S. M., Semiconductor Devices Physics and Technology, John Wiley&Sons, New York, 1985. 3. Balkanski, M., and Wallis, R. F., Semic onductor Physics and Applications, Oxford University, Oxford, 2000.
|
|