Ön koşul dersleri
|
Yarıiletken Fiziği dersini alması tavsiye edilir.
|
Eğitimin dili
|
Türkçe
|
Koordinatör
|
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
|
Dersi veren öğretim eleman(lar)ı
|
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
|
Yardımcı öğretim eleman(lar)ı
|
Yok
|
Dersin veriliş şekli
|
Yüz yüze
|
Dersin amacı
|
Metal-oksit yarıiletken yapılar ve elektriksel ölçümlerinin analizi hakkında bilgi vermektir.
|
Dersin tanımı
|
MOS yapıların tanımı, düşük, ara ve yüksek frekanslarda metal oksit silisyum kapasitörler, arayüzey nonuniformitleri, kapasite ölçümlerinden arayüzey tuzak özelliklerinin elde edilmesi, silisyumun oksidasyonu.
|
1- |
Silisyumun yüzeyi
|
2- |
MOS yapısı
|
3- |
Düşük frekanslarda MOS kapasitörler
|
4- |
Orta frekanslarda MOS kapasitörler
|
5- |
Yüksek frekanslarda MOS kapasitörler
|
6- |
Tek-seviye arayüzey tuzaklarının admitansı
|
7- |
Kondüktans metodu
|
8- |
Arayüzey nonüniformitesi
|
9- |
Kapasiteden ara yüzey tuzak özelliklerinin elde edilmesi
|
10- |
Küçük sinyal kararlı hal kapasitesi
|
11- |
Silisyumun oksidasyonu
|
12- |
Oksidasyonun silisyumun özellikleri üzerine etkisi
|
13- |
Ara yüzey modelleri
|
14- |
Kimyasal kompozisyon
|
15- |
|
16- |
|
17- |
|
18- |
|
19- |
|
20- |
|
1- |
MOS yapıların temel fiziğini bilir.
|
2- |
MOS kapasitörün nasıl çalıştığını bilir.
|
3- |
Beslem altında MOS yapının enerji-band diyagramını kavrar.
|
4- |
MOS yapıların frekansa bağlı ölçümlerini analiz eder.
|
5- |
MOS yapı için Poisson eşitliğini çözer.
|
6- |
Teorik kavramları pratik uygulamalar ile ilişkilendirir.
|
7- |
|
8- |
|
9- |
|
10- |
|
*Dersin program yeterliliklerine katkı seviyesi
|
1- |
Matematik, fen ve Mühendislik bilgilerini uygulama becerisi
|
|
2- |
Deney tasarlama ve yapma ile deney sonuçlarını yorumlama becerisi
|
|
3- |
İstenen gereksinimleri karşılayacak biçimde bir sistemi, parçayı veya süreci tasarımlama
|
|
4- |
Disiplinler arası takımlarda çalışabilme becerisi
|
|
5- |
Mühendislik problemleri tanımlama, formüle etme ve çözme becerisi
|
|
6- |
Mesleki ve etik sorumluluk bilinci
|
|
7- |
İngilizce ve Türkçe etkin iletişim kurma becerisi
|
|
8- |
Mühendislik çözümlerinin evrensel ve toplumsal boyutlarda etkinliklerini anlamak için gerekli genişlikte eğitim
|
|
9- |
Yaşam boyu öğrenmenin gerekliliği bilinci
|
|
10- |
Çağın sorunları hakkında bilgi
|
|
11- |
Mühendislik uygulamaları için gerekli teknikleri, yetenekleri ve modern araçları kullanma becerisi
|
|
12- |
|
|
13- |
|
|
14- |
|
|
15- |
|
|
16- |
|
|
17- |
|
|
18- |
|
|
19- |
|
|
20- |
|
|
21- |
|
|
22- |
|
|
23- |
|
|
24- |
|
|
25- |
|
|
26- |
|
|
27- |
|
|
28- |
|
|
29- |
|
|
30- |
|
|
31- |
|
|
32- |
|
|
33- |
|
|
34- |
|
|
35- |
|
|
36- |
|
|
37- |
|
|
38- |
|
|
39- |
|
|
40- |
|
|
41- |
|
|
42- |
|
|
43- |
|
|
44- |
|
|
45- |
|
|
Yıldızların sayısı 1’den (en az) 5’e (en fazla) kadar katkı seviyesini ifade eder |
Planlanan öğretim faaliyetleri, öğretme metodları ve AKTS iş yükü
|
|
Sayısı
|
Süresi (saat)
|
Sayı*Süre (saat)
|
Yüz yüze eğitim
|
14
|
3
|
42
|
Sınıf dışı ders çalışma süresi (ön çalışma, pekiştirme)
|
14
|
1
|
14
|
Ödevler
|
7
|
10
|
70
|
Sunum / Seminer hazırlama
|
1
|
5
|
5
|
Kısa sınavlar
|
0
|
0
|
0
|
Ara sınavlara hazırlık
|
1
|
20
|
20
|
Ara sınavlar
|
1
|
2
|
2
|
Proje (Yarıyıl ödevi)
|
1
|
10
|
10
|
Laboratuvar
|
0
|
0
|
0
|
Arazi çalışması
|
0
|
0
|
0
|
Yarıyıl sonu sınavına hazırlık
|
1
|
25
|
25
|
Yarıyıl sonu sınavı
|
1
|
2
|
2
|
Araştırma
|
0
|
0
|
0
|
Toplam iş yükü
|
|
|
190
|
AKTS
|
|
|
7.50
|
Değerlendirme yöntemleri ve kriterler
|
Yarıyıl içi değerlendirme
|
Sayısı
|
Katkı Yüzdesi
|
Ara sınav
|
1
|
65
|
Kısa sınav
|
0
|
0
|
Ödev
|
7
|
35
|
Yarıyıl içi toplam
|
|
100
|
Yarıyıl içi değerlendirmelerin başarıya katkı oranı
|
|
40
|
Yarıyıl sonu sınavının başarıya katkı oranı
|
|
60
|
Genel toplam
|
|
100
|
Önerilen veya zorunlu okuma materyalleri
|
Ders kitabı
|
1. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor Physics and Technology), Wiley& Sons, New York, 1982
|
Yardımcı Kaynaklar
|
1. Sze, S. M., Semiconductor Devices Physics and Technology, John Wiley&Sons, New York, 1985. 2. Balkanski, M., and Wallis, R. F., Semic onductor Physics and Applications, Oxford University, Oxford, 2000
|
|