Giriş | English

Yüksek Lisans > Fen Bilimleri Enstitüsü > İnşaat Mühendisliği (y.l.) > METAL-OKSİT YARIİLETKEN YAPILARIN FİZİĞİ
 
Dersin adı Dersin seviyesi Dersin kodu Dersin tipi Dersin dönemi Yerel kredi AKTS kredisi Ders bilgileri
METAL-OKSİT YARIİLETKEN YAPILARIN FİZİĞİ İkinci düzey FİZ 609 2 7.50 7.50 Yazdır
   
Dersin tanımı
Ön koşul dersleri Yarıiletken Fiziği dersini alması tavsiye edilir.
Eğitimin dili Türkçe
Koordinatör PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
Dersi veren öğretim eleman(lar)ı PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
Yardımcı öğretim eleman(lar)ı Yok
Dersin veriliş şekli Yüz yüze
Dersin amacı Metal-oksit yarıiletken yapılar ve elektriksel ölçümlerinin analizi hakkında bilgi vermektir.
Dersin tanımı MOS yapıların tanımı, düşük, ara ve yüksek frekanslarda metal oksit silisyum kapasitörler, arayüzey nonuniformitleri, kapasite ölçümlerinden arayüzey tuzak özelliklerinin elde edilmesi, silisyumun oksidasyonu.

Dersin içeriği
1- Silisyumun yüzeyi
2- MOS yapısı
3- Düşük frekanslarda MOS kapasitörler
4- Orta frekanslarda MOS kapasitörler
5- Yüksek frekanslarda MOS kapasitörler
6- Tek-seviye arayüzey tuzaklarının admitansı
7- Kondüktans metodu
8- Arayüzey nonüniformitesi
9- Kapasiteden ara yüzey tuzak özelliklerinin elde edilmesi
10- Küçük sinyal kararlı hal kapasitesi
11- Silisyumun oksidasyonu
12- Oksidasyonun silisyumun özellikleri üzerine etkisi
13- Ara yüzey modelleri
14- Kimyasal kompozisyon
15-
16-
17-
18-
19-
20-

Dersin öğrenme çıktıları
1- MOS yapıların temel fiziğini bilir.
2- MOS kapasitörün nasıl çalıştığını bilir.
3- Beslem altında MOS yapının enerji-band diyagramını kavrar.
4- MOS yapıların frekansa bağlı ölçümlerini analiz eder.
5- MOS yapı için Poisson eşitliğini çözer.
6- Teorik kavramları pratik uygulamalar ile ilişkilendirir.
7-
8-
9-
10-

*Dersin program yeterliliklerine katkı seviyesi
1- Matematik, fen ve Mühendislik bilgilerini uygulama becerisi
2- Deney tasarlama ve yapma ile deney sonuçlarını yorumlama becerisi
3- İstenen gereksinimleri karşılayacak biçimde bir sistemi, parçayı veya süreci tasarımlama
4- Disiplinler arası takımlarda çalışabilme becerisi
5- Mühendislik problemleri tanımlama, formüle etme ve çözme becerisi
6- Mesleki ve etik sorumluluk bilinci
7- İngilizce ve Türkçe etkin iletişim kurma becerisi
8- Mühendislik çözümlerinin evrensel ve toplumsal boyutlarda etkinliklerini anlamak için gerekli genişlikte eğitim
9- Yaşam boyu öğrenmenin gerekliliği bilinci
10- Çağın sorunları hakkında bilgi
11- Mühendislik uygulamaları için gerekli teknikleri, yetenekleri ve modern araçları kullanma becerisi
12-
13-
14-
15-
16-
17-
18-
19-
20-
21-
22-
23-
24-
25-
26-
27-
28-
29-
30-
31-
32-
33-
34-
35-
36-
37-
38-
39-
40-
41-
42-
43-
44-
45-
Yıldızların sayısı 1’den (en az) 5’e (en fazla) kadar katkı seviyesini ifade eder

Planlanan öğretim faaliyetleri, öğretme metodları ve AKTS iş yükü
  Sayısı Süresi (saat) Sayı*Süre (saat)
Yüz yüze eğitim 14 3 42
Sınıf dışı ders çalışma süresi (ön çalışma, pekiştirme) 14 1 14
Ödevler 7 10 70
Sunum / Seminer hazırlama 1 5 5
Kısa sınavlar 0 0 0
Ara sınavlara hazırlık 1 20 20
Ara sınavlar 1 2 2
Proje (Yarıyıl ödevi) 1 10 10
Laboratuvar 0 0 0
Arazi çalışması 0 0 0
Yarıyıl sonu sınavına hazırlık 1 25 25
Yarıyıl sonu sınavı 1 2 2
Araştırma 0 0 0
Toplam iş yükü     190
AKTS     7.50

Değerlendirme yöntemleri ve kriterler
Yarıyıl içi değerlendirme Sayısı Katkı Yüzdesi
Ara sınav 1 65
Kısa sınav 0 0
Ödev 7 35
Yarıyıl içi toplam   100
Yarıyıl içi değerlendirmelerin başarıya katkı oranı   40
Yarıyıl sonu sınavının başarıya katkı oranı   60
Genel toplam   100

Önerilen veya zorunlu okuma materyalleri
Ders kitabı 1. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor Physics and Technology), Wiley& Sons, New York, 1982
Yardımcı Kaynaklar 1. Sze, S. M., Semiconductor Devices Physics and Technology, John Wiley&Sons, New York, 1985. 2. Balkanski, M., and Wallis, R. F., Semic onductor Physics and Applications, Oxford University, Oxford, 2000

Ders ile ilgili dosyalar