| Dersin adı |
Dersin seviyesi |
Dersin kodu |
Dersin tipi |
Dersin dönemi |
Yerel kredi |
AKTS kredisi |
Ders bilgileri |
| METAL-YARIİLETKEN KONTAKLAR |
İkinci düzey |
FİZ 694 |
|
2 |
7.50 |
7.50 |
Yazdır |
|
Ön koşul dersleri
|
Yarıiletken Fiziği dersini alması tavsiye edilir.
|
|
Eğitimin dili
|
Türkçe
|
|
Koordinatör
|
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
|
|
Dersi veren öğretim eleman(lar)ı
|
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
|
|
Yardımcı öğretim eleman(lar)ı
|
Yok
|
|
Dersin veriliş şekli
|
Yüz yüze
|
|
Dersin amacı
|
Metal-yarıiletken kontakların oluşum mekanizmaları, elektriksel katakteristikleri ve teknolojik önemi hakkında bilgi vermektir.
|
|
Dersin tanımı
|
Schottky engelinin oluşumu, engel yüksekliğinin ölçüm metodları, akım-iletim mekanizmaları, Schottky engelinin kapasitesi, kontakların elektriksel karakteristiği üzerine basınç ve ısıl işlemlerin etkisi.
|
|
1- |
Yüzeyler, arayüzeyler ve Schottky engelleri
|
|
2- |
Schottky engelinin oluşumu
|
|
3- |
Engel yüksekliklerini ölçüm metodları
|
|
4- |
Silisyum ve germanyum üzerine metal kontaklar; dağlanmış ve oksitli silisyum yüzeyler
|
|
5- |
III-V yarıiletkenkeri üzerine metal kontaklar; galyum arsenit (GaAs) ve indiyum fosfat (InP)
|
|
6- |
Akım-iletim mekanizmaları
|
|
7- |
Akım-iletim mekanizmaları
|
|
8- |
Ters karakteristik, geçici etkiler
|
|
9- |
Schottky engelinin kapasitesi, C/V metodu ile katkı dağılımının ölçümü
|
|
10- |
Kontak üretim metodları
|
|
11- |
Silisyum ve III-V bileşik yarıiletkenlerin oksidasyonu
|
|
12- |
Yüzet passivitesi
|
|
13- |
Inhomojen Schottky kontaklar
|
|
14- |
Sıcaklık ve basıncın elektriksel karakteristiklere etkileri
|
|
15- |
|
|
16- |
|
|
17- |
|
|
18- |
|
|
19- |
|
|
20- |
|
|
1- |
Metal-yarıiletken kontaklarda engel oluşum mekanizmasını kavrar.
|
|
2- |
Omik ve doğrultucu kontak arasındaki farkı bilir ve açıklar.
|
|
3- |
Kontak performansı ve güvenilirliğinde ara yüzey mikro yapısının önemini tanımlar.
|
|
4- |
Metal/yarıiletken kontaklardaki akım iletim mekanizmalarını bilir.
|
|
5- |
Karakteristik diyot parametrelerini belirler.
|
|
6- |
Kontakların teknolojideki önemini kavrar.
|
|
7- |
|
|
8- |
|
|
9- |
|
|
10- |
|
|
*Dersin program yeterliliklerine katkı seviyesi
|
|
1- |
Lisans programında edinilen birikime dayalı olarak, Gıda Mühendisliği bilgilerini uzmanlık düzeyinde geliştirmek ve derinleştirmek.
|
|
|
2- |
Bilimsel araştırma planlama, uygulama ve değerlendirme becerilerine sahip olmak.
|
|
|
3- |
Değişik disiplinlere ait bilgileri Gıda Mühendisliği alanında edindiği bilgilerle harmanlayabilmek.
|
|
|
4- |
Proses ve süreç tasarımlarında yeni ve uygulama alanı bulabilecek fikir geliştirme ve uygulayabilme becerisine sahip olmak.
|
|
|
5- |
Gıda teknolojisinde uygulanan son teknolojiler hakkında kapsamlı bilgiye sahip olmak.
|
|
|
6- |
Lisans seviyesinde ders verebilme yetisibe sahip olmak.
|
|
|
7- |
Bilişim teknolojisinden (sunum, yazım, istatistik ve grafik programları) etkin bir şekilde yararlanabilmek.
|
|
|
8- |
Alanı ile ilgili bir problemin çözümünde sorumluluk alabilecek yetkinliğe sahip olmak.
|
|
|
9- |
Bilimsel çalışmalarda eksik noktaları belirleyerek, çözüm noktasında izleyeceği yolun tayinini gerçekleştirebilecek altyapıya sahip olmak.
|
|
|
10- |
Uluslarası literatürü takip edebilecek terminolojiye hakim olmak.
|
|
|
11- |
|
|
|
12- |
|
|
|
13- |
|
|
|
14- |
|
|
|
15- |
|
|
|
16- |
|
|
|
17- |
|
|
|
18- |
|
|
|
19- |
|
|
|
20- |
|
|
|
21- |
|
|
|
22- |
|
|
|
23- |
|
|
|
24- |
|
|
|
25- |
|
|
|
26- |
|
|
|
27- |
|
|
|
28- |
|
|
|
29- |
|
|
|
30- |
|
|
|
31- |
|
|
|
32- |
|
|
|
33- |
|
|
|
34- |
|
|
|
35- |
|
|
|
36- |
|
|
|
37- |
|
|
|
38- |
|
|
|
39- |
|
|
|
40- |
|
|
|
41- |
|
|
|
42- |
|
|
|
43- |
|
|
|
44- |
|
|
|
45- |
|
|
|
Yıldızların sayısı 1’den (en az) 5’e (en fazla) kadar katkı seviyesini ifade eder |
|
Planlanan öğretim faaliyetleri, öğretme metodları ve AKTS iş yükü
|
|
|
Sayısı
|
Süresi (saat)
|
Sayı*Süre (saat)
|
|
Yüz yüze eğitim
|
14
|
3
|
42
|
|
Sınıf dışı ders çalışma süresi (ön çalışma, pekiştirme)
|
14
|
2
|
28
|
|
Ödevler
|
7
|
5
|
35
|
|
Sunum / Seminer hazırlama
|
1
|
10
|
10
|
|
Kısa sınavlar
|
0
|
0
|
0
|
|
Ara sınavlara hazırlık
|
1
|
20
|
20
|
|
Ara sınavlar
|
1
|
2
|
2
|
|
Proje (Yarıyıl ödevi)
|
1
|
20
|
20
|
|
Laboratuvar
|
0
|
0
|
0
|
|
Arazi çalışması
|
0
|
0
|
0
|
|
Yarıyıl sonu sınavına hazırlık
|
1
|
25
|
25
|
|
Yarıyıl sonu sınavı
|
1
|
2
|
2
|
|
Araştırma
|
0
|
0
|
0
|
|
Toplam iş yükü
|
|
|
184
|
|
AKTS
|
|
|
7.50
|
|
Değerlendirme yöntemleri ve kriterler
|
|
Yarıyıl içi değerlendirme
|
Sayısı
|
Katkı Yüzdesi
|
|
Ara sınav
|
2
|
65
|
|
Kısa sınav
|
0
|
0
|
|
Ödev
|
7
|
35
|
|
Yarıyıl içi toplam
|
|
100
|
|
Yarıyıl içi değerlendirmelerin başarıya katkı oranı
|
|
40
|
|
Yarıyıl sonu sınavının başarıya katkı oranı
|
|
60
|
|
Genel toplam
|
|
100
|
|
Önerilen veya zorunlu okuma materyalleri
|
|
Ders kitabı
|
1. Rhoderick, E. H., Williams,R. H., Metal-Semiconductor Contacts, Clarendon Press, Oxford, 1988.
2. Brillson, L. J, Contacts to Semiconductors, Noyes publications, New York, 1993.
|
|
Yardımcı Kaynaklar
|
1. Mönch, W., Semiconductor Surface and Interface, Springer, Berlin, 2001.
2. Sze,S. M.,Ng, K. K., Physics of Semiconductor Devices , John Wiley&Sons, NewJersey, 2007.
|
|