| Dersin adı |
Dersin seviyesi |
Dersin kodu |
Dersin tipi |
Dersin dönemi |
Yerel kredi |
AKTS kredisi |
Ders bilgileri |
| YARIİLETKEN FİZİĞİNE GİRİŞ |
Birinci düzey |
SFİZ403 |
Seçmeli |
7 |
3.00 |
3.00 |
Yazdır |
|
Ön koşul dersleri
|
Yoktur
|
|
Eğitimin dili
|
Türkçe
|
|
Koordinatör
|
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
|
|
Dersi veren öğretim eleman(lar)ı
|
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
|
|
Yardımcı öğretim eleman(lar)ı
|
yoktur
|
|
Dersin veriliş şekli
|
Yüz yüze
|
|
Dersin amacı
|
Yarıiletkenlerin yapısı, özellikleri ve kullanım alanları hakkında bilgi vermektir.
|
|
Dersin tanımı
|
Yarıiletkenlerin kristal ve bant yapıları, katılardaki elektriksel iletkenlik, katkılı ve katkısız yarıiletkenler, dengedeki yarıiletken, Fermi enerji seviyeleri, denge dışı yarıiletken, pn eklemler, diyotlar,ambipolar iletim eşitliği.
|
|
1- |
Yarıiletkenlerin kristal yapıları
|
|
2- |
Katılardaki safsızlıklar ve kusurlar
|
|
3- |
Enerji bantlarının oluşumu; Kronig-Penney modeli
|
|
4- |
Katılarda elektriksel iletim;sürüklenme akımı,elektronun etkin kütlesi,hole kavramı
|
|
5- |
Si ve GaAs k-uzayındaki enerji diagramları
|
|
6- |
Yük nötralliği; dengelenmiş yarıiletken
|
|
7- |
Ara sınav
|
|
8- |
Taşıyıcı iletim olayı
|
|
9- |
Taşıyıcıların üretimi ve yeniden birleşmesi
|
|
10- |
Süreklilik eşitliği, zamana-bağlı difüzyon eşitlikleri
|
|
11- |
Ambipolar iletim eşitliğinin türetilmesi
|
|
12- |
Yarıiletkende denge dışı artık taşıyıcılar
|
|
13- |
Shockley-Read-Hall yeniden birleşme teorisi
|
|
14- |
p-n eklemleri
|
|
15- |
|
|
16- |
|
|
17- |
|
|
18- |
|
|
19- |
|
|
20- |
|
|
1- |
Yarıiletkenlerin kristal yapılarını öğrenir.
|
|
2- |
Yarıiletkende katkılama işlemini kavrar.
|
|
3- |
Taşıyıcı konsantrasyonunun hesaplamak için Fermi Dirac istatistiği ve hal yoğunluğunu kullanır.
|
|
4- |
Direk ve indirek yasak enerji aralıklı yarıiletkenlerle foton etkileşiminin nasıl olduğunu bilir.
|
|
5- |
Taşıyıcı konsantrasyonunun zaman bağımlılığını incelemek için süreklilik eşitliğini kullanır.
|
|
6- |
Tükenim yaklaşımını kullanarak Poisson denklemini çözer.
|
|
7- |
Yarıiletken teknolojisinde yaygın olarak kullanılan devre elemanlarının özelliklerini tanımlar ve belirler.
|
|
8- |
|
|
9- |
|
|
10- |
|
|
*Dersin program yeterliliklerine katkı seviyesi
|
|
1- |
Fiziksel kavramları öğrenme ve bu kavramlarla düşünebilme becerisi kazanır.
|
|
|
2- |
Doğadaki olay ve olguları gözleme, arkasındaki temel ilkeleri anlama ve ilişkilendirme yeteneğini geliştirir.
|
|
|
3- |
Doğru soruları sormayı ve bu sorulara yanıt verecek deneyleri tasarlama becerisini geliştirir.
|
|
|
4- |
Deney yapma ve deney sonuçlarını analiz etme ve yorumlama becerisi kazanır.
|
|
|
5- |
Problemi tanımlama, çözme sonuç çıkarma ve yorumlama becerisi kazanır.
|
|
|
6- |
Problemin çözümünü zorlaştıran bazı ayrıntıları ihmal ederek, karmaşık ve zor problemleri üstesinden gelinebilir hale getirmek için, idealleştirilmiş model oluşturma becerisi kazanır.
|
|
|
7- |
Evrende bilinen bütün etkileşmeler (nükleer, gravitasyonel, elektromanyetik) hakkında, mikro ölçekten makro ölçeğe kadar madde ve enerji hakkında bilgi sahibi olur.
|
|
|
8- |
Tüm mühendislik ve teknolojinin temeli olan fiziğin evrensel ve toplumsal boyutlarda etkilerini anlar.
|
|
|
9- |
Bilgiye ulaşabilme, analiz edip çözüm geliştirebilme becerisi kazanır.
|
|
|
10- |
Verinin toplanması, yorumlanması, duyurulması ve uygulanması aşamalarında toplumsal, bilimsel ve etik değerlere sahip olur.
|
|
|
11- |
Disiplinler arası gruplarda çalışabilme becerisi kazanır.
|
|
|
12- |
Analitik düşünme, sorgulayıcı ve eleştirel düşünme yeteneğini kazanır.
|
|
|
13- |
Yaşam boyu öğrenmenin gerekliliği bilinci ve bunu gerçekleştirebilme becerisi kazanır.
|
|
|
14- |
Etkin iletişim kurma becerisi kazanır.
|
|
|
15- |
|
|
|
16- |
|
|
|
17- |
|
|
|
18- |
|
|
|
19- |
|
|
|
20- |
|
|
|
21- |
|
|
|
22- |
|
|
|
23- |
|
|
|
24- |
|
|
|
25- |
|
|
|
26- |
|
|
|
27- |
|
|
|
28- |
|
|
|
29- |
|
|
|
30- |
|
|
|
31- |
|
|
|
32- |
|
|
|
33- |
|
|
|
34- |
|
|
|
35- |
|
|
|
36- |
|
|
|
37- |
|
|
|
38- |
|
|
|
39- |
|
|
|
40- |
|
|
|
41- |
|
|
|
42- |
|
|
|
43- |
|
|
|
44- |
|
|
|
45- |
|
|
|
Yıldızların sayısı 1’den (en az) 5’e (en fazla) kadar katkı seviyesini ifade eder |
|
Planlanan öğretim faaliyetleri, öğretme metodları ve AKTS iş yükü
|
|
|
Sayısı
|
Süresi (saat)
|
Sayı*Süre (saat)
|
|
Yüz yüze eğitim
|
14
|
2
|
28
|
|
Sınıf dışı ders çalışma süresi (ön çalışma, pekiştirme)
|
8
|
1
|
8
|
|
Ödevler
|
2
|
5
|
10
|
|
Sunum / Seminer hazırlama
|
0
|
0
|
0
|
|
Kısa sınavlar
|
2
|
1
|
2
|
|
Ara sınavlara hazırlık
|
1
|
10
|
10
|
|
Ara sınavlar
|
1
|
2
|
2
|
|
Proje (Yarıyıl ödevi)
|
0
|
0
|
0
|
|
Laboratuvar
|
0
|
0
|
0
|
|
Arazi çalışması
|
0
|
0
|
0
|
|
Yarıyıl sonu sınavına hazırlık
|
1
|
10
|
10
|
|
Yarıyıl sonu sınavı
|
1
|
2
|
2
|
|
Araştırma
|
2
|
2
|
4
|
|
Toplam iş yükü
|
|
|
76
|
|
AKTS
|
|
|
3.00
|
|
Değerlendirme yöntemleri ve kriterler
|
|
Yarıyıl içi değerlendirme
|
Sayısı
|
Katkı Yüzdesi
|
|
Ara sınav
|
1
|
100
|
|
Kısa sınav
|
0
|
0
|
|
Ödev
|
0
|
0
|
|
Yarıyıl içi toplam
|
|
100
|
|
Yarıyıl içi değerlendirmelerin başarıya katkı oranı
|
|
40
|
|
Yarıyıl sonu sınavının başarıya katkı oranı
|
|
60
|
|
Genel toplam
|
|
100
|
|
Önerilen veya zorunlu okuma materyalleri
|
|
Ders kitabı
|
Neamen, D. A., Semiconductor Physics and Devices, Irwen, Sydney, 1992.
|
|
Yardımcı Kaynaklar
|
1) Sze, S. M., Semiconductor Devices Physics and Technology, John Wiley&Sons, New York, 1985.
2) Balkanski, M., and Wallis, R. F., Semiconductor Physics and Applications, Oxford University, Oxford, 2000.
|
|